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論文

Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy study on oxides formed at Ge(100)21 surface in atmosphere

吉越章隆

Japanese Journal of Applied Physics, 59(SM), p.SMMB05_1 - SMMB05_5, 2020/07

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ab8f0b

被引用回数：0 パーセンタイル：0(Physics, Applied)

本研究では、UHV条件で準備した清浄Ge(100)21表面を空気中に晒された時に形成される酸化物のシンクロトロン放射光電子分光法(SR-XPS)による分析結果を示す。高エネルギー分解能のSR-XPSによってGe表面に形成されるGe酸化物の詳細な化学状態が明らかにされた。大気中の水蒸気がGe表面をゆっくりと酸化するという証拠を明らかにできた。この研究は、Ge表面に形成される酸化物の形成メカニズムの理解に役立つと期待される。

論文

Roles of strain and carrier in silicon oxidation

小川修一*; 吉越章隆; Tang, J.*; 堰端勇樹*; 高桑雄二*

Japanese Journal of Applied Physics, 59(SM), p.SM0801_1 - SM0801_42, 2020/07

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ab82a9

被引用回数：5 パーセンタイル：33.01(Physics, Applied)

この論文では、SiO $_{2}$ /Si界面付近の点欠陥生成を介したSi酸化反応の統一モデルに関するレビューをする。この点欠陥は放出されたSi原子と空孔からなり、このダングリングボンドにおいてO $_{2}$ 分子の解離吸着が起きる。点欠陥の生成速度が、酸化にともない誘起される歪み、SiとSiO $_{2}$ 間の熱膨張係数の違いに起因する熱歪み、熱励起によるSi放出の速度および吸着熱の組み合わせによって与えられることを示す。

論文

Evaluation and mitigation of reactive ion etching-induced damage in AlGaN/GaN MOS structures fabricated by low-power inductively coupled plasma

野崎幹人*; 寺島大貴*; 吉越章隆; 細井卓治*; 志村考功*; 渡部平司*

Japanese Journal of Applied Physics, 59(SM), p.SMMA07_1 - SMMA07_7, 2020/07

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ab8f0e

被引用回数：2 パーセンタイル：12.5(Physics, Applied)

AlGaN/GaN高移動度トランジスタ(HEMT)はヘテロ界面に誘起される高濃度・高移動度な2次元電子ガス(2DEG)により高周波・高出力動作を実現できるが、トランジスタのノーマリーオフ化のためにはゲート下のAlGaN層を薄層化したリセス構造の形成等が必要となる。AlGaN層は誘導結合プラズマを用いた反応性イオンエッチング(ICP-RIE)により比較的容易に薄層化できるが、エッチング時の損傷による特性劣化が懸念される。本研究ではICP-RIE後のAlGaN層に対し放射光光電子分光分析やホール効果測定を行い、AlGaN/GaN構造に対する極低バイアス電力のICP-RIEが加工表面の変質や2DEG特性劣化などの加工損傷を大幅に低減できることを示した。またRIE加工面上でのMOS構造形成では、プロセス中に表面変質層が酸化されるため、界面特性が2DEG特性ほど強くバイアス電力に影響されないことがわかった。